今天我們來淺談一下微電子在我國的發(fā)展現(xiàn)狀。
中國的集成電路產(chǎn)業(yè)起步于1965年，經(jīng)過30多年的發(fā)展，現(xiàn)已初步形成了包括設(shè)計、制造、

封裝業(yè)共同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。芯片生產(chǎn)技術(shù)已達到8英寸、0.25微米-0.18微米水平。但總體

來講，我國集成電路產(chǎn)業(yè)比較弱小，1999年銷售額僅占*的0.7%，只能滿足國內(nèi)

市場需求的16%。要提高我國微電子技術(shù)的整體水平，我們還需要長期的艱苦努力。
我國高校微電子專業(yè)目前所開專業(yè)課程包括：半導體物理與器件、集成電路原理與設(shè)計、近

代物理實驗、固體物理導論、微機電系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)、薄膜材料與薄膜技術(shù)等。
目前中國微電子存在的主要問題有：
1.缺乏高標準和可持續(xù)發(fā)展的長遠規(guī)劃和措施以及建立微電子產(chǎn)業(yè)群體的目標。
2.機制上不適應(yīng)微電子產(chǎn)業(yè)自身發(fā)展的要求。產(chǎn)業(yè)投資方式單一；投資和其它政策方面的決

策太慢，使發(fā)展滯后；科研和產(chǎn)業(yè)嚴重脫節(jié)，而且科研和開發(fā)的投資嚴重不足。
3.缺乏系統(tǒng)的市場戰(zhàn)略。國內(nèi)市場被國外大公司瓜分。對于有戰(zhàn)略意義而且量大面廣的如中

央處理器（CPU）和存儲器等關(guān)鍵芯片市場沒有給予足夠的重視和決心自主研制開發(fā)的決心。

整機設(shè)計開發(fā)與芯片廠脫節(jié)，產(chǎn)品不能配套生產(chǎn)。
4.政策環(huán)境不適應(yīng)現(xiàn)代化微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。我國微電子企業(yè)資金有較大一部分是借款，加

之增值稅過重，使得企業(yè)負擔很重。
5.微電子領(lǐng)域人才流失現(xiàn)象嚴重，缺乏吸引和激勵人才的有效措施。
建議：制訂加速中國微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的目標。5年內(nèi)達到：以多元投資模式建成一定規(guī)模的產(chǎn)

業(yè)群，其中一半以上企業(yè)在技術(shù)、市場和管理上中國有主導權(quán)。組織和引進人才，大力

研發(fā)新一代核心生產(chǎn)工藝技術(shù)，積累自主的知識產(chǎn)權(quán)，使中國微電子芯片生產(chǎn)制造工藝技術(shù)

達到與水平只差一代。集成電路產(chǎn)量到2005年由目前的占世界產(chǎn)量的0.6%提高到2%左右

。通過10年左右的努力，掌握集成電路設(shè)計、生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，提高國內(nèi)外*和國

內(nèi)市場的自給率，占世界產(chǎn)量從2%提高到4%，自給率達到30%左右；滿足國防工業(yè)和信息安全

對集成電路的需求；形成能夠良性循環(huán)的科研、生產(chǎn)體系；產(chǎn)業(yè)與科學技術(shù)水平與當時的國

際水平相當。
為保證上述目標的實現(xiàn)，建議實施以下9項措施：
1.成立國家微電子管理委員會：直屬中央，賦予權(quán)利和責任，實行一元化的領(lǐng)導，用“兩彈

一星”精神，按系統(tǒng)工程思路有機地制定出科研、開發(fā)和生產(chǎn)的長期發(fā)展戰(zhàn)略，管理好微電

子產(chǎn)業(yè)。
2.為實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，以自主研究和開發(fā)0.18微米以下硅集成電路大生產(chǎn)技術(shù)為突破口，逐

步掌握核心技術(shù)。建設(shè)3-5條8英寸以上的硅生產(chǎn)線，并掌握其技術(shù)、市場和管理的主導權(quán)。

同時，以多元化模式5年內(nèi)共建成6-10條（含上述“自主”的3-5條）大生產(chǎn)線，初步形成產(chǎn)

業(yè)群。建設(shè)產(chǎn)業(yè)群的多元模式可采用政府先導、借貸政策的傾斜、吸引和利用外資、港澳臺

的資金和鼓勵引導集體和私營等非國有經(jīng)濟涉足微電子行業(yè)等措施相結(jié)合。這樣5年內(nèi)國家需

投入股本金4.5-7.5億美元，貼息3-5億美元。
3.建設(shè)好集成電路設(shè)計業(yè)的基礎(chǔ)環(huán)境，給予優(yōu)惠政策，吸引投資，突破重點，放活一片。建

立有知識產(chǎn)權(quán)的設(shè)計模塊（IP）庫和服務(wù)、復用機制。組織突破以CPU和存儲器為代表

的集成電路設(shè)計核心技術(shù)。
4.以快的速度建設(shè)一條砷化鎵器件和集成電路的生產(chǎn)線。發(fā)展射頻（RF）領(lǐng)域的砷化鎵集

成電路目前尚不需要十分苛刻的微細加工技術(shù)，符合中國的國情，抓住時機建設(shè)一條砷化鎵

民用電路生產(chǎn)線，可扭轉(zhuǎn)我國通訊市場單純依賴進口砷化鎵芯片的局面。該生產(chǎn)線投資約需4

億元人民幣。
5.抓住機遇研究開發(fā)新一代關(guān)鍵的微電子設(shè)備。國家應(yīng)組織力量以充足的投資，選準方

向，加強與的合作，開展以瞄準可用于0.1-0.13微米光刻的193納米準分子激光投影光刻

機為重點的設(shè)備中的關(guān)鍵技術(shù)研究并達到實用化。同時開展電子束和X射線光刻等新一代

光刻機等關(guān)鍵設(shè)備的技術(shù)攻關(guān)，為占領(lǐng)未來微電子技術(shù)的制高點做好設(shè)備技術(shù)方面的準

備。
6.建立微電子研究開發(fā)中心。集中國家有限的人力和財力，建立獨立的微電子

研究開發(fā)中心。國家應(yīng)有長遠的投資規(guī)劃，并能逐步吸引大企業(yè)入資。把國內(nèi)有優(yōu)勢的高校

和研究所力量更好地組織起來，形成一支穩(wěn)定、有效的研發(fā)力量。該中心的任務(wù)：密切與產(chǎn)

業(yè)的結(jié)合，開發(fā)新一代微電子核心工藝技術(shù)以及市場有大量需求的產(chǎn)品，轉(zhuǎn)移到大生產(chǎn)

線上，并且在開發(fā)新一代微電子工藝的基礎(chǔ)上開發(fā)我國微電子關(guān)鍵設(shè)備。同時，針對10年以

后我國微電子產(chǎn)業(yè)的需求，開展新一代系統(tǒng)芯片中新工藝、新器件和新結(jié)構(gòu)電路的前瞻性、

戰(zhàn)略性研究。該中心定位于：支持高校和研究所進行創(chuàng)新性研究，并將成果加以驗證、集成

和中試，終發(fā)展成為自主知識產(chǎn)權(quán)的源泉，并轉(zhuǎn)移到產(chǎn)業(yè)界，從而實現(xiàn)我國微電子產(chǎn)業(yè)的

自主和可持續(xù)發(fā)展。該中心一次性投入約需50億元人民幣，今后每年投入3~5億人民幣，中心

也應(yīng)當從企業(yè)和市場中得到部分經(jīng)費來源。
7.實施“微電子人才培養(yǎng)和引進工程”，以大的力度吸引國外的微電子技術(shù)和管理人

才，尤其是事業(yè)有成的國外留學生；制訂出優(yōu)惠政策，扭轉(zhuǎn)微電子人才大量外流的趨勢；近

期內(nèi)應(yīng)訂出計劃，大量培養(yǎng)出一批微電子工藝開發(fā)、設(shè)計和系統(tǒng)應(yīng)用人才。
8.產(chǎn)業(yè)的發(fā)展很大程度上靠機制創(chuàng)新和各種優(yōu)惠政策，應(yīng)制訂出符合微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)代

企業(yè)的集資機制和能使其良性發(fā)展的優(yōu)惠稅收及其它政策。
9.從系統(tǒng)工程觀點出發(fā)，制訂微電子市場發(fā)展戰(zhàn)略（包括國內(nèi)市場和市場的占領(lǐng)）。從

政策、技術(shù)和組織諸方面提出并落實幾點對策：下決心占領(lǐng)通用芯片市場；由國家組織專項

重點工程，從整機到自主設(shè)計芯片，建立起整機業(yè)與芯片業(yè)的戰(zhàn)略聯(lián)盟；國家采取非關(guān)稅保

護措施，努力加大國產(chǎn)芯片的市場空間。
加快發(fā)展我國的微電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為刻不容緩的大事。政府除了繼續(xù)加大資金的投入外，目

前至關(guān)重要的是如何轉(zhuǎn)換機制，制訂系統(tǒng)的市場戰(zhàn)略和*的政策，吸引資金和人才。

調(diào)動一切積極因素，既大力發(fā)展自主的民族微電子產(chǎn)業(yè)，又形成良好的投資環(huán)境吸引外資投

入我國的微電子產(chǎn)業(yè)，盡快形成產(chǎn)業(yè)群；同時加大對科學研究與人才培養(yǎng)的投入，形成植根

于中國、可持續(xù)發(fā)展的微電子產(chǎn)業(yè)和科學研究體系，抓住機遇迎接挑戰(zhàn)。相信在中央的正確

領(lǐng)導下，我國微電子將在世界微電子市場占有一席之地，為中國在二十一世紀的世界強國地

位奠定基礎(chǔ)。